高三2024年普通高等学校招生统一考试模拟信息卷(五)5理科综合ZS4试题,目前2025-2026衡水金卷答案网已经汇总了高三2024年普通高等学校招生统一考试模拟信息卷(五)5理科综合ZS4试题的各科答案和试卷,获取更多{{papers_name}}答案解析,请在关注本站。
线框完全进入磁场后,做匀变速曲线运动,从磁场右边界穿出时,ab、cd边产生的电动势相抵消,ad边切割磁感线等效为电路的电源,线框bc边离开磁场时线框在水方向的速度大小vo=2/s(1分),则电源的电动势E=BL=0.4V(1分),线框bc边离开磁场时两端的电压U=0.1V。(2分)(3)设线框进入磁场的过程中产生的焦耳热为Q,线框离开磁场的过程中在竖直方向做匀加速直线运动,在水方向做减速运动,设此过程中线框产生的焦耳热为Q2,穿过回路某截面的电荷量为q,线框αd边穿出磁场时的水速度大小为)',则有Q=mgL(1分)mv-m=-BgL(1分)g喂(1分)Q=mw-号me81分)Q=Q+Q2(1分)解得Q=0.0375J。(2分)27.(1)D、C、G、C(2分)(2)指示导管是否堵塞(2分)(3)用磁铁接近产品,若有黑色粉末被吸起来,说明有铁粉生成(或其他合理答案,2分)(4NH时十NO,△N◆+2H,O(2分):蒸馏(2分)(5)bd(2分)(6)325cY(2分)W28.(1)4s24p(1分);正四面体形(1分)(2)Cu2+、Zn2+(2分);难溶物PbSO,覆盖在表面,阻碍铜、锌元素的浸出(2分)(3)3Fe2++MnO4+7H2O—3Fe(OH)3V+MnO2¥+5H+(2分)(4)PbCO3(1分);HNO3(1分)12×81(5)四面体(2分)3v3acX10(2分)29.(1)CH4(g)+CO2(g)—2CO(g)+2H2(g)△H=+247.3kJ·mol1(2分)(2)①A(2分)②<(2分);>(2分);4(MPa)2(2分)(3)②(1分);催化剂降低了活化能(2分);第Ⅱ步的活化能大,反应速率慢(2分)30.(1)醚键、酮羰基、羟基(2分)(2)取代(2分):还原(2分)OHOH2N(3)CH3+2HCI(2分)OBnOBnH2N CHs4)CH3(2分);1(1分)【高三理科综合·参考答案第2页(共3页)】·23-322C·
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